MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RUR040N02TL, VDSS 20 V, ID 4 A, Mejora, TSMT de 3 pines

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Código RS:
826-7813
Nº ref. fabric.:
RUR040N02TL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSMT

Serie

RUR040N02

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.9mm

Altura

0.8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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