MOSFET, N-Canal ROHM RQ5P035BGTCL, VDSS 100 V, ID 3.5 A, Mejora, TSMT-3 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
265-321
Nº ref. fabric.:
RQ5P035BGTCL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TSMT-3

Serie

RQ5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM presenta una baja resistencia de encendido, lo que lo hace muy eficiente para aplicaciones de conmutación, accionamientos de motores y convertidores CC/CC. Su diseño garantiza un rendimiento y una fiabilidad óptimos en una gran variedad de circuitos electrónicos.

Conforme con RoHS

Resistencia de conexión baja

Revestimiento sin Pb

Sin halógenos

100% Rg y UIS probado

Encapsulado pequeño de montaje en superficie

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