MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM R4P020N06HZGT100, VDSS 60 V, Mejora, MPT3 de 3 pines

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Código RS:
646-554
Nº ref. fabric.:
R4P020N06HZGT100
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

R4P

Encapsulado

MPT3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.70 mm

Longitud

4.30mm

Altura

1.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de canal N de 4 voltios de ROHM tiene una baja resistencia de encendido y admite un funcionamiento de accionamiento de 4 voltios.

Certificación AEC-Q101

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