MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM R2P020N06HZGT100, VDSS 60 V, Mejora, MPT3 de 3 pines
- Código RS:
- 646-553
- Nº ref. fabric.:
- R2P020N06HZGT100
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 10 unidades)*
3,46 €
(exc. IVA)
4,19 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,346 € | 3,46 € |
| 100 - 240 | 0,304 € | 3,04 € |
| 250 - 990 | 0,274 € | 2,74 € |
| 1000 - 4990 | 0,222 € | 2,22 € |
| 5000 + | 0,216 € | 2,16 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 646-553
- Nº ref. fabric.:
- R2P020N06HZGT100
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | MPT3 | |
| Serie | R2P | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 240mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.6mm | |
| Longitud | 4.30mm | |
| Anchura | 4.70 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado MPT3 | ||
Serie R2P | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 240mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.6mm | ||
Longitud 4.30mm | ||
Anchura 4.70 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de ROHM de canal N con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de 60 V y 2 A de potencia tiene una baja resistencia de encendido y admite el accionamiento a baja tensión con un funcionamiento de 2 puntos a 5 V.
Certificación AEC-Q101
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 60 V MPT3 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V MPT3 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V TO-252 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos Tipo N-Canal ROHM HT8MC5TB1 Mejora, HSMT-8 de 8 pines