MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RJ1R04BBHTL1, VDSS 150 V, Mejora, TO-263AB de 3 pines

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Código RS:
646-551
Nº ref. fabric.:
RJ1R04BBHTL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-263AB

Serie

RJ1

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

89W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.36 mm

Altura

4.77mm

Longitud

15.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor de ROHM de canal N con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de 150 V y 40 A de potencia tiene una baja resistencia de encendido, un encapsulado de alta potencia tipo TO dos seis tres AB, un chapado sin plomo y cumple la restricción de sustancias peligrosas.

Sin halógenos

Rg 100 % y probado para UIS

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