MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RJ1R10BBHTL1, VDSS 150 V, ID 105 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1
- Código RS:
- 264-880
- Nº ref. fabric.:
- RJ1R10BBHTL1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 264-880
- Nº ref. fabric.:
- RJ1R10BBHTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 105A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 181W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 130nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 105A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 181W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
El MOSFET de potencia ROHM Nch 150V 170A TO-263AB con baja resistencia a la conexión y alta potencia en encapsulado de molde pequeño, adecuado para conmutación.
Baja resistencia de conexión
Encapsulado de molde pequeño de alta potencia (TO263AB)
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
100% probado por la UIS
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