MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RJ1P07CBHTL1, VDSS 100 V, ID 120 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 2 unidades)*

5,78 €

(exc. IVA)

7,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 100 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
2 - 182,89 €5,78 €
20 - 1982,605 €5,21 €
200 - 9982,405 €4,81 €
1000 - 19982,23 €4,46 €
2000 +1,81 €3,62 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-884
Nº ref. fabric.:
RJ1P07CBHTL1
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263AB

Serie

RJ1

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73.0nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

135W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

1

El MOSFET de potencia ROHM Nch 100V 120A TO-263AB con baja resistencia a la conexión y alta potencia en encapsulado de molde pequeño, adecuado para conmutación.

Baja resistencia de conexión

Encapsulado de molde pequeño de alta potencia (TO263AB)

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

100% probado por la UIS

Enlaces relacionados