MOSFET, Canal N-Canal ROHM RJ1G10BBGTL1, VDSS 40 V, ID 280 A, TO-263AB-3LSHYAD de 3 pines

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Código RS:
780-361
Nº ref. fabric.:
RJ1G10BBGTL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

280A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263AB-3LSHYAD

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.85mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

192W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

210nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

4.77mm

Anchura

8.9mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de ROHM proporciona conmutación de canal N de alto rendimiento para gestión de potencia automotriz e industrial. Este dispositivo con certificación AEC-Q101 está diseñado para aplicaciones de alta tensión, lo que garantiza un funcionamiento eficiente en entornos de vehículos exigentes.

Tensión de drenaje a fuente de 100 V

Corriente de drenaje continua de 12 A

Encapsulado compacto DFN2020Y

Certificación AEC-Q101 para automoción

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