MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF3MR12KM1HPHPSA1, VDSS 1200 V, ID 280 A, Mejora

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Código RS:
349-316
Nº ref. fabric.:
FF3MR12KM1HPHPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

280A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.32mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

5.59V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

60749, 60068, IEC 60747

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
HU
Este módulo de medio puente MOSFET CoolSiC de 62 mm de Infineon está diseñado en el conocido encapsulado de 62 mm, que integra la tecnología de chip M1H para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Este módulo ofrece una alta densidad de corriente, por lo que es ideal para sistemas con limitaciones de espacio que requieren un rendimiento robusto. Con bajas pérdidas de conmutación, garantiza mayor eficacia a altas frecuencias de conmutación. La fiabilidad superior del óxido de puerta aumenta la durabilidad, lo que prolonga la vida operativa del módulo en condiciones exigentes.

Minimiza los esfuerzos de refrigeración

Reducción de volumen y tamaño

Reducción de costes del sistema

Diseño simétrico del módulo

Técnica de fabricación estándar

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