MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F417MR12W1M1HB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 45 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
349-252
Nº ref. fabric.:
F417MR12W1M1HB76BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

F4-17MR12W1M1H_B76

Encapsulado

EasyPACK

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

5.35V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Módulo de Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET de cuatro paquetes, 1200 V, 17 mΩ G1 con NTC y tecnología de contacto PressFIT. Este MOSFET está diseñado con el mejor encapsulado de su categoría y ofrece una altura compacta de 12 mm para un uso eficiente del espacio. Aprovecha los materiales de banda ancha más avanzados, lo que mejora la eficiencia energética y el rendimiento. Con una inductancia parásita del módulo muy baja, minimiza la pérdida de potencia y mejora la dinámica de conmutación.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

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