MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F48MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
348-969
Nº ref. fabric.:
F48MR12W2M1HB70BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

F4-8MR12W2M1H_B70

Encapsulado

EasyPACK

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

5.35V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 60747, 60068, 60749

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Módulo de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET de cuatro paquetes, 1200 V, 8 mΩ G1 con NTC, tecnología de contacto PressFIT y cerámica de nitruro de aluminio. Este MOSFET ofrece el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm, lo que optimiza tanto el espacio como el rendimiento. Cuenta con materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), que proporcionan una eficiencia y una potencia superiores. El diseño incorpora una inductancia parásita del módulo muy baja, lo que minimiza las pérdidas de potencia y mejora la dinámica de conmutación. Equipado con el MOSFET CoolSiC Gen 1 mejorado, ofrece un rendimiento térmico y una fiabilidad excelentes.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

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