MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS13MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
348-980
Nº ref. fabric.:
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

EasyPACK

Serie

FS13MR12W2M1H_C55

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

25mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

5.35V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC incorpora la tecnología CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 de seis paquetes, que ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de potencia. Viene en el mejor encapsulado de su clase, con una altura compacta de 12 mm, lo que garantiza una utilización eficaz del espacio, a la vez que mantiene un alto rendimiento. El módulo utiliza materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), lo que ofrece eficiencia y gestión térmica superiores.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

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