MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS13MR12W2M1HC55BPSA1, VDSS 1200 V, ID 62.5 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
348-979
Nº ref. fabric.:
FS13MR12W2M1HC55BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

62.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

FS13MR12W2M1H_C55

Encapsulado

EasyPACK

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

5.35V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC de seis paquetes, 1200 V, 13 mΩ integra la tecnología CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Alojado en el mejor encapsulado de su categoría, con una altura compacta de 12 mm, ofrece una eficiencia de espacio óptima sin sacrificar el rendimiento. El módulo está fabricado con materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), lo que garantiza una eficiencia, un rendimiento térmico y una fiabilidad superiores.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

Mejor conductividad térmica del material DCB

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