MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
348-975
Nº ref. fabric.:
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

EasyPACK

Serie

FF11MR12W2M1H_B70

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Tensión directa Vf

5.35V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo MOSFET de Infineon de medio puente EasyDUAL 2B CoolSiC combina tecnología punta con un diseño superior para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Con el mejor encapsulado de su categoría y una altura compacta de 12,25 mm, optimiza tanto el espacio como el rendimiento. El módulo utiliza material de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), lo que proporciona una mayor eficiencia energética, rendimiento térmico y fiabilidad. Su inductancia parásita del módulo muy baja minimiza las pérdidas de potencia y mejora el comportamiento de conmutación.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

Mejor conductividad térmica del material DCB

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