MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F433MR12W1M1HB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
348-968
Nº ref. fabric.:
F433MR12W1M1HB76BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

EasyPACK

Serie

F4-17MR12W1M1HP_B76

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

69.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Tensión directa Vf

5.35V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Módulo de Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET de cuatro paquetes, 1200 V, 33 mΩ G1 con NTC y tecnología de contacto PressFIT. Este MOSFET presenta el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm, lo que permite un uso eficiente del espacio sin comprometer el rendimiento. Incorpora materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), lo que garantiza una mayor eficiencia y una mayor capacidad de manejo de la potencia. El diseño también presenta una inductancia parásita del módulo muy baja, lo que reduce la pérdida de potencia y optimiza el rendimiento de la conmutación.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

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