MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F48MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
348-971
Nº ref. fabric.:
F48MR12W2M1HPB76BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

EasyPACK

Serie

CoolSiC Trench MOSFET

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

5.35V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC de cuatro paquetes está pensado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento e incorpora el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm para un uso eficiente del espacio. Incorpora el material de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), que mejora la eficiencia energética y el rendimiento térmico. Con una inductancia parásita muy baja, este módulo minimiza las pérdidas de potencia y mejora la velocidad de conmutación para un funcionamiento más eficiente.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

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