MOSFET Infineon, N-Canal F48MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, EasyPACK, Mejora
- Código RS:
- 348-971
- Nº ref. fabric.:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 348-971
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- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | EasyPACK | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado EasyPACK | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
Este módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC de cuatro paquetes está pensado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento e incorpora el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm para un uso eficiente del espacio. Incorpora el material de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), que mejora la eficiencia energética y el rendimiento térmico. Con una inductancia parásita muy baja, este módulo minimiza las pérdidas de potencia y mejora la velocidad de conmutación para un funcionamiento más eficiente.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
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