MOSFET Infineon, N-Canal F417MR12W1M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 45 A, EasyPACK, Mejora
- Código RS:
- 348-966
- Nº ref. fabric.:
- F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-966
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- F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | EasyPACK | |
| Serie | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado EasyPACK | ||
Serie F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
Módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 1B CoolSiC de cuatro paquetes, 1200 V, 17 mΩ G1 con NTC, material de interfaz térmica preaplicado y tecnología de contacto PressFIT. Este MOSFET está fabricado con el mejor encapsulado de su categoría, con una altura compacta de 12 mm para una integración eficiente. Utiliza materiales de vanguardia de banda prohibida ancha, que mejoran el rendimiento y la eficiencia energética. El diseño ofrece una inductancia parásita del módulo muy baja, lo que reduce las pérdidas de potencia y mejora las características de conmutación. Equipado con el MOSFET CoolSiC Gen 1 mejorado, proporciona un rendimiento térmico y una fiabilidad superiores.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
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