MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
348-976
Nº ref. fabric.:
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

FF11MR12W2M1HP_B11

Encapsulado

EasyPACK

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

5.35V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo MOSFET de Infineon de medio puente EasyDUAL 2B CoolSiC está pensado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento y ofrece el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm. Incorpora el material de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), lo que proporciona eficiencia energética y rendimiento térmico mejorados. El módulo está diseñado con una inductancia parásita muy baja, lo que minimiza las pérdidas de potencia y mejora la velocidad de conmutación.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

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