MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS33MR12W1M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora

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Código RS:
348-981
Nº ref. fabric.:
FS33MR12W1M1HB70BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

EasyPACK

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

5.35V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 1B CoolSiC de seis paquetes está diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento y presenta el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12,25 mm para optimizar la eficiencia del espacio. Fabricado con materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), ofrece una eficiencia, un rendimiento térmico y una fiabilidad a largo plazo superiores. Gracias al MOSFET CoolSiC Gen 1 mejorado, garantiza una gestión térmica avanzada y una alta eficiencia energética en entornos exigentes.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

Mejor conductividad térmica del material DCB

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