MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF3MR12KM1HHPSA1, VDSS 1200 V, ID 185 A, Mejora

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 unidad)*

665,63 €

(exc. IVA)

805,41 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 10 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +665,63 €

*precio indicativo

Código RS:
349-315
Nº ref. fabric.:
FF3MR12KM1HHPSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

185A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.32mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

5.59V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
HU
Este módulo de medio puente MOSFET CoolSiC de 62 mm de Infineon está alojado en el famoso encapsulado de 62 mm, que combina la última tecnología de chip M1H para un rendimiento óptimo. Este módulo proporciona una alta densidad de corriente, por lo que es ideal para aplicaciones que requieren soluciones compactas pero potentes. Ofrece bajas pérdidas por conmutación, lo que garantiza un funcionamiento eficaz incluso a altas frecuencias, y brinda una fiabilidad superior del óxido de puerta para mayor durabilidad en el tiempo.

Minimiza los esfuerzos de refrigeración

Reducción de volumen y tamaño

Reducción de costes del sistema

Diseño simétrico del módulo

Técnica de fabricación estándar

Enlaces relacionados