Módulos MOSFET Infineon, Canal N-Canal FF3MR12KM1HSHPSA1, VDSS 1200 V, ID 185 A, AG-62MMHB, Mejora de 7 pines, config.

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Código RS:
762-898
Nº ref. fabric.:
FF3MR12KM1HSHPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

Módulos MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

185A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

AG-62MMHB

Serie

C Series

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.62mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

6.25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.65μC

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Configuración de transistor

Medio puente

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

106.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
HU
El módulo de medio puente MOSFET Trench CoolSiC de Infineon tiene una tensión nominal de 2000 V y admite alta densidad de corriente. Es adecuado para sistemas SAI, convertidores dc/dc, aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, aplicaciones solares, sistemas de almacenamiento de energía (ESS) y cargador dc para vehículos eléctricos.

Bajas pérdidas por conmutación

Alta densidad de corriente

Calificado para aplicaciones industriales

Aislamiento de 4 kV ac 1 min

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