IGBT, FF600R12KE7EHPSA1, N-Canal, 600 A, 1200 V, AG-62MMHB, 3-Pines 2
- Código RS:
- 284-965
- Nº ref. fabric.:
- FF600R12KE7EHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 284-965
- Nº ref. fabric.:
- FF600R12KE7EHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 600 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Tipo de Encapsulado | AG-62MMHB | |
| Configuración | Colector único, emisor simple, puerta simple | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector 600 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 2 | ||
Tipo de Encapsulado AG-62MMHB | ||
Configuración Colector único, emisor simple, puerta simple | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT de zanja rápido y baja saturación doble de 62 mm, 1200 V y 600 A, con TRENCHSTOP IGBT7 y diodo controlado por emisor. Los paquetes existentes con mayor capacidad de corriente permiten aumentar la potencia de salida del inversor con el mismo tamaño de bastidor. Reducción de los costes del sistema gracias a la simplificación de los sistemas de inversores.
Máxima densidad de potencia
El mejor VCEsat de su clase
Elevadas distancias de fuga y separación
Placa base aislada
Carcasa estándar
Conforme con RoHS
4 kV AC 1 min Aislamiento
El mejor VCEsat de su clase
Elevadas distancias de fuga y separación
Placa base aislada
Carcasa estándar
Conforme con RoHS
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