Infineon IGBT, FF450R12KE7HPSA1 Colector único, Tipo N-Canal, 450 A, 1200 V, AG-62MMHB, 3 pines 2 Orificio pasante
- Código RS:
- 284-959
- Nº ref. fabric.:
- FF450R12KE7HPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
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- FF450R12KE7HPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 450A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Colector único | |
| Encapsulado | AG-62MMHB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.75V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Altura | 30.9mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Anchura | 61.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 450A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Colector único | ||
Encapsulado AG-62MMHB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.75V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 106.4mm | ||
Altura 30.9mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Anchura 61.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT de 62 mm de 1.200 V, 450 A de baja potencia y alta velocidad con TRENCHSTOP IGBT7 y diodo controlado por emisor. Los encapsulados existentes con mayor capacidad de corriente permiten aumentar la potencia de salida del inversor con el mismo tamaño de bastidor. Especialmente utilizado para topología NPC2 en configuración de 3 niveles.
Máxima densidad de potencia
Mejor VCEsat de su clase
Elevadas distancias de fuga y separación
Placa base aislada
Carcasa estándar
Conforme a RoHS
4 kV ac 1 min Aislamiento