Infineon IGBT, FF600R12KE7BPSA1 Colector único, Tipo N-Canal, 600 A, 1200 V, AG-62MMHB, 3 pines 2 Orificio pasante
- Código RS:
- 284-963
- Nº ref. fabric.:
- FF600R12KE7BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-963
- Nº ref. fabric.:
- FF600R12KE7BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 600A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Colector único | |
| Encapsulado | AG-62MMHB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.75V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 62mm | |
| Anchura | 61.4 mm | |
| Altura | 30.9mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 600A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Colector único | ||
Encapsulado AG-62MMHB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.75V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 62mm | ||
Anchura 61.4 mm | ||
Altura 30.9mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT doble de 62 mm de 1.200 V, 600 A de baja saturación y ranura rápida con TRENCHSTOP IGBT7 y diodo controlado por emisor. Los encapsulados existentes con mayor capacidad de corriente permiten aumentar la potencia de salida del inversor con el mismo tamaño de bastidor. Reducción de los costes del sistema mediante la simplificación de los sistemas de inversores.
Máxima densidad de potencia
Mejor VCEsat de su clase
Elevadas distancias de fuga y separación
Placa base aislada
Carcasa estándar
Conforme a RoHS
4 kV ac 1 min Aislamiento