MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF6MR12KM1BOSA1, VDSS 1200 V, ID 250 A, AG-62MM, Mejora, 1, config. Doble

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Código RS:
222-4796
Nº ref. fabric.:
FF6MR12KM1BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

250A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

FF6MR

Encapsulado

AG-62MM

Tipo de montaje

Chasis

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.81mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

5.85V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

El módulo de medio puente Infineon de 62 mm, 1.200 V, 6 mΩ con MOSFET Cool sic™.

Alta densidad de corriente

Pérdidas de conmutación bajas

Fiabilidad de óxido de puerta superior

Máxima resistencia contra la humedad

Diodo de cuerpo integrado robusto y, por tanto, condiciones térmicas óptimas

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