MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B de 2 pines, config. Aislado
- Código RS:
- 234-8968
- Nº ref. fabric.:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
116,30 €
(exc. IVA)
140,72 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 14 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 116,30 € |
| 2 - 4 | 113,98 € |
| 5 + | 102,59 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 234-8968
- Nº ref. fabric.:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | AG-EASY2B | |
| Serie | F4 | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.062μC | |
| Tensión directa Vf | 5.65V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 62.8mm | |
| Certificaciones y estándares | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| Altura | 16.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado AG-EASY2B | ||
Serie F4 | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.062μC | ||
Tensión directa Vf 5.65V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 62.8mm | ||
Certificaciones y estándares 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
Altura 16.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene un tipo FET de 4 canales N (medio puente) que funciona con tensión de drenador a fuente de 1200 V y corriente de drenaje continua de 75 A.
Montaje en chasis
Temperatura de funcionamiento de -40 °C a +150 °C
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon VDSS 1200 V AG-EASY2B de 2 pines, config. Aislado
- Módulo MOSFET Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1 ID 100 A 4elementos
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, AG-EASY2B
- MOSFET Infineon VDSS 1200 V AG-EASY2B, Mejora de 8 pines
- MOSFET Infineon VDSS 1200 V AG-EASY2B, Mejora de 8 pines
- Módulos MOSFET Infineon VDSS 1200 V AG-EASY2B
- Infineon IGBT Trifásico 1200 V, AG-EASY2B-711 Chasis
- Infineon IGBT 35 A AG-EASY2B-711 Chasis