Módulos MOSFET Infineon, Canal N-Canal FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1, VDSS 1200 V, ID 160 A, AG-EASY2B, Mejora de 8 pines,

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Código RS:
762-884
Nº ref. fabric.:
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de producto

Módulos MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

160A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

AG-EASY2B

Serie

XHP 2

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3μC

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

5.35V

Configuración de transistor

Medio puente

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

62.8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El módulo de medio puente MOSFET de canal N CoolSiC de Infineon ofrece una corriente de drenaje continua de 200 A. Cuenta con una tensión de ruptura de 1200 V y admite un montaje robusto con abrazaderas integradas y tecnología de contacto.

Bajas pérdidas por conmutación

Alta densidad de corriente

Abrazaderas de montaje integradas

Sensor de temperatura NTC

Material de interfaz térmica preaplicado

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