MOSFET, Tipo N-Canal Infineon F3L6MR20W2M1HB70BPSA1, VDSS 2000 V, ID 375 A, Mejora, AG-EASY2B

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Código RS:
351-915
Nº ref. fabric.:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

375A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

2000V

Serie

F3L6MR

Encapsulado

AG-EASY2B

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

6.15V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Longitud

62.8mm

Anchura

48 mm

Altura

12.255mm

Estándar de automoción

No

Módulo EasyPack 2B CoolSiC MOSFET de 3 niveles, 2000 V, 6 mΩ de Infineon, con sensor de temperatura NTC, tecnología de contacto press-fit y cerámica de nitruro de aluminio.

Inductancia parásita del módulo muy baja

Pines press-fit

Sensor de temperatura NTC integrado

Amplio rango de tensión de fuente de puerta

Bajas pérdidas por conmutación y conducción

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