MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 100 A, AG-EASY2B, Mejora de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bandeja de 18 unidades)*

1.686,006 €

(exc. IVA)

2.040,066 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 05 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bandeja*
18 +93,667 €1.686,01 €

*precio indicativo

Código RS:
250-0217
Nº ref. fabric.:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

IAUZ

Encapsulado

AG-EASY2B

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Módulo de 3 niveles Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 2B de 1.200 V / 8 mΩ con MOSFET CoolSiC™ con generación 1 mejorada, sensor de temperatura NTC integrado, material de interfaz térmica preaplicado y tecnología de contacto PressFIT.

Alta densidad de corriente

Bajas pérdidas de conmutación

Montaje resistente gracias a abrazaderas de montaje integradas

Sensor de temperatura NTC integrado

Tecnología de contacto PressFIT

Material de interfaz térmica preaplicado

Enlaces relacionados