MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, AG-EASY2B, Mejora de 8 pines

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Código RS:
250-0218
Nº ref. fabric.:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

AG-EASY2B

Serie

IAUZ

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Módulo de 3 niveles Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 2B de 1.200 V / 8 mΩ con MOSFET CoolSiC™ con generación 1 mejorada, sensor de temperatura NTC integrado, material de interfaz térmica preaplicado y tecnología de contacto PressFIT.

Alta densidad de corriente

Bajas pérdidas de conmutación

Montaje resistente gracias a abrazaderas de montaje integradas

Sensor de temperatura NTC integrado

Tecnología de contacto PressFIT

Material de interfaz térmica preaplicado

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