Módulo MOSFET Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, AG-EASY2B, 4elementos

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Código RS:
234-8960
Nº ref. fabric.:
F411MR12W2M1B76BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

AG-EASY2B

Serie

F4

Tipo de Montaje

Montaje roscado

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,0113 Ω

Tensión de umbral de puerta máxima

5.55V

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

4

El módulo IGBT de Infineon tiene un tipo FET de 4 canales N (medio puente) que funciona con tensión de drenaje a fuente de 1200 V y corriente de drenaje continua de 100 A.

Montaje en chasis
Temperatura de funcionamiento de -40 °C a +150 °C

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