MOSFET, Tipo N-Canal Infineon FF6MR20W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, Mejora, AG-EASY2B

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Código RS:
351-916
Nº ref. fabric.:
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

AG-EASY2B

Serie

FF6MR

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

5.35V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

62.8mm

Certificaciones y estándares

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Anchura

48 mm

Altura

12.255mm

Estándar de automoción

No

Módulo de medio puente de Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET 2000 V, 6 mΩ, con sensor de temperatura NTC, tecnología de contacto Press FIT y cerámica de nitruro de aluminio.

Los mejores encapsulados de su clase con una altura de 12 mm

Material WBG de vanguardia

Inductancia parásita del módulo muy baja

Pines press-fit

Sensor de temperatura NTC integrado

Amplio rango de tensión de fuente de puerta

Bajas pérdidas por conmutación y conducción

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