MOSFET, Tipo N-Canal Infineon FF6MR20W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, Mejora, AG-EASY2B
- Código RS:
- 351-916
- Nº ref. fabric.:
- FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 unidad)*
264,44 €
(exc. IVA)
319,97 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 11 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 + | 264,44 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-916
- Nº ref. fabric.:
- FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | AG-EASY2B | |
| Serie | FF6MR | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Anchura | 48mm | |
| Longitud | 62.8mm | |
| Altura | 12.255mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado AG-EASY2B | ||
Serie FF6MR | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Anchura 48mm | ||
Longitud 62.8mm | ||
Altura 12.255mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Enlaces relacionados
- Módulo MOSFET Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1 ID 100 A 4elementos
- MOSFET Infineon VDSS 1200 V AG-EASY2B, Mejora de 8 pines
- MOSFET Infineon VDSS 1200 V AG-EASY2B, Mejora de 8 pines
- Módulos MOSFET Infineon VDSS 1200 V AG-EASY2B
- MOSFET VDSS 2000 V Mejora, AG-EASY2B
- MOSFET Infineon VDSS 1200 V AG-EASY2B de 2 pines, config. Aislado
- Módulo de potencia SiC Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 ID 200 A 2elementos
- MOSFET Infineon ID 150 A, AG-EASY1BS-1
