Módulo de potencia SiC Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1, VDSS 1.200 V, ID 200 A, AG-EASY2B, 2elementos

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Código RS:
201-2810
Nº ref. fabric.:
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1.200 V

Tipo de Encapsulado

AG-EASY2B

Serie

CoolSiC

Tipo de Montaje

Montaje roscado

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,00825 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.55V

Número de Elementos por Chip

2

Material del transistor

SiC

El módulo de medio puente Infineon de 6 mo y 1.200 V con MOSFET de carburo de silicio, dispone de sensor de temperatura NTC y tecnología de contacto Pressfit. También está disponible con material de interfaz térmica.

Alta densidad de corriente
Diseño inductivo bajo
Pérdidas de conmutación bajas
Módulos compatibles con RoHS

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