Name: Módulo de potencia SiC Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1, VDSS 1.200 V, ID 200 A, AG-EASY2B, 2elementos
Brand: Infineon
SKU: 201-2810
Price: 330.02 EUR
Availability: OutOfStock

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	200 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
	Serie	CoolSiC
	Tipo de Encapsulado	AG-EASY2B
	Tipo de Montaje	Montaje roscado
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,00825 Ω
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	5.55V
	Número de Elementos por Chip	2
	Material del transistor	SiC

	Seleccionar todo
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 200 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 1.200 V
	Serie CoolSiC
	Tipo de Encapsulado AG-EASY2B
	Tipo de Montaje Montaje roscado
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0,00825 Ω
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 5.55V
	Número de Elementos por Chip 2
	Material del transistor SiC

Datasheet - FF6MR12W2M1B11BOMA1

El módulo de medio puente Infineon de 6 mo y 1.200 V con MOSFET de carburo de silicio, dispone de sensor de temperatura NTC y tecnología de contacto Pressfit. También está disponible con material de interfaz térmica.

Alta densidad de corriente
Diseño inductivo bajo
Pérdidas de conmutación bajas
Módulos compatibles con RoHS

Módulo de potencia SiC Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1, VDSS 1.200 V, ID 200 A, AG-EASY2B, 2elementos

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