MOSFET Infineon FF33MR12W1M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY1B de 23 pines, 2elementos

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Código RS:
284-956
Nº ref. fabric.:
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Serie

EasyDUAL

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

2

El módulo MOSFET de Infineon está diseñado para elevar el rendimiento en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia. Su innovador diseño integra la tecnología CoolSiC trench MOSFET, que ofrece una eficiencia y fiabilidad notables. Diseñado para aplicaciones industriales, este módulo se ha fabricado prestando especial atención a las características inductivas bajas y a las pérdidas de conmutación reducidas, lo que lo convierte en una opción excelente para diversos usos de electrónica de potencia. Tanto si se utiliza en accionamientos de motores, sistemas SAI o convertidores CC/CC, el módulo EasyDUAL no sólo satisface las estrictas exigencias de los entornos eléctricos modernos, sino que las supera. Este versátil módulo destaca por sus sencillas soluciones de montaje y está avalado por exhaustivas pruebas de validación, lo que consolida su posición como componente de confianza en sistemas energéticos avanzados.

Tecnología CoolSiC para la gestión térmica
El sensor de temperatura integrado mejora la seguridad
El material térmico preaplicado facilita la disipación
Las robustas abrazaderas agilizan el proceso de instalación
Optimizado para aplicaciones de tensión versátiles
Cumple las normas de fiabilidad industrial
La baja inductancia reduce las interferencias electromagnéticas
Resiste condiciones ambientales extremas

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