MOSFET Infineon DF8MR12W1M1HFB67BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, AG-EASY1B de 23 pines, 2elementos

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Código RS:
284-820
Nº ref. fabric.:
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Serie

EasyPACK

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

2

Material del transistor

SiC

El módulo MOSFET de Infineon integra la avanzada tecnología CoolSiC Trench MOSFET, proporcionando una solución robusta diseñada para la eficiencia en aplicaciones de alto rendimiento. Ideal para usos solares e industriales, este módulo ofrece unas características eléctricas excepcionales combinadas con una gran fiabilidad mecánica, gracias a su diseño de baja inductividad y su capacidad de alta densidad de corriente. Diseñado con un sensor de temperatura NTC integrado, garantiza una gestión precisa de la temperatura, lo que permite un funcionamiento más seguro y fiable en condiciones variables. Esta hoja de datos preliminar destaca una solución de confianza diseñada para satisfacer las demandas de las aplicaciones eléctricas contemporáneas, al tiempo que garantiza el cumplimiento de las normas del sector.

El diseño de baja inducción mejora el rendimiento
Las robustas abrazaderas de montaje mejoran la estabilidad
Cualificado para aplicaciones industriales según las normas IEC
La tecnología PressFIT facilita la instalación
El sensor NTC permite una gestión térmica precisa
Corriente nominal elevada para aplicaciones versátiles
Resistencia térmica superior para entornos de alta exigencia

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