MOSFET Infineon DF17MR12W1M1HFB68BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, AG-EASY1B de 23 pines

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Código RS:
284-818
Nº ref. fabric.:
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Serie

EasyPACK

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El módulo MOSFET de Infineon es una solución de vanguardia y alto rendimiento diseñada para aplicaciones exigentes en el sector industrial. Este innovador módulo presenta un diseño de baja inductividad que mejora la eficiencia operativa a la vez que proporciona sólidas capacidades de gestión térmica. Diseñado para su uso con la tecnología MOSFET de zanja CoolSiC, proporciona densidades de corriente impresionantes y es muy adecuado para aplicaciones solares. Con su ventaja competitiva en características mecánicas y eléctricas, este módulo está construido para soportar el cambiante panorama de la electrónica de potencia moderna.

Optimizado para alta densidad de corriente
El sensor NTC integrado mejora la supervisión térmica
El montaje robusto garantiza la estabilidad en diversos entornos
La tecnología PressFIT simplifica el montaje y las conexiones
Cualificado para aplicaciones industriales según las normas IEC
Ideal para sistemas de energía solar
El diseño de baja inductividad reduce las pérdidas por conmutación

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