MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F411MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora

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Código RS:
349-250
Nº ref. fabric.:
F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

F4-11MR12W2M1H_B70

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

5.35V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

60749, IEC 60747, 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC de cuatro paquetes, 1200 V, 11 mΩ G1 con NTC, material de interfaz térmica (TIM) preaplicado y tecnología de contacto PressFIT. Este MOSFET presenta el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm, lo que garantiza un rendimiento óptimo a la vez que ahorra espacio. Utiliza materiales de vanguardia de banda prohibida ancha, lo que mejora la eficiencia energética y la gestión térmica. El diseño presenta una inductancia de dispersión del módulo muy baja, lo que reduce las pérdidas de potencia y mejora la velocidad de conmutación.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

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