MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RJ1P04BBHTL1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1
- Código RS:
- 264-883
- Nº ref. fabric.:
- RJ1P04BBHTL1
- Fabricante:
- ROHM
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,008 € | 10,04 € |
| 50 - 95 | 1,906 € | 9,53 € |
| 100 - 495 | 1,766 € | 8,83 € |
| 500 - 995 | 1,628 € | 8,14 € |
| 1000 + | 1,564 € | 7,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-883
- Nº ref. fabric.:
- RJ1P04BBHTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
El MOSFET de potencia ROHM Nch 100V 80A TO-263AB con baja resistencia a la conexión y alta potencia en encapsulado de molde pequeño, adecuado para conmutación.
Baja resistencia de conexión
Encapsulado de molde pequeño de alta potencia (TO263AB)
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
100% probado por la UIS
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