MOSFET, Canal N-Canal ROHM RJ1L10BBGTL1, VDSS 60 V, ID 240 A, TO-263AB-3LSHYAD de 3 pines

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Código RS:
780-362
Nº ref. fabric.:
RJ1L10BBGTL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

240A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263AB-3LSHYAD

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.41mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

160nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

192W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.77mm

Longitud

10.36mm

Anchura

8.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de ROHM proporciona conmutación de canal N de alto rendimiento para gestión de potencia de alta corriente. Este robusto dispositivo está diseñado para accionamientos de motor y convertidores dc/dc, lo que garantiza una eficiencia excepcional en circuitos de conmutación industriales exigentes.

Tensión de drenaje a fuente de 60 V

Corriente de drenaje continua de 105 A

Resistencia de conexión típica ultrabaja de 1,85 mΩ

Alta disipación de potencia de 192 W

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