MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HT8KF6HTB1, VDSS 150 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines

Código RS:: 687-371
Nº ref. fabric.:: HT8KF6HTB1
Fabricante:: ROHM

MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HT8KF6HTB1, VDSS 150 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines

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Código RS:: 687-371
Nº ref. fabric.:: HT8KF6HTB1
Fabricante:: ROHM

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	ROHM
	Tipo de producto	MOSFET sencillos
	Tipo de canal	Doble N
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	HSMT-8
	Serie	HT8KF6H
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	214mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.4nC
	Disipación de potencia máxima Pd	14W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	3.45mm
	Anchura	3.4 mm
	Altura	0.8mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca ROHM
	Tipo de producto MOSFET sencillos
	Tipo de canal Doble N
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado HSMT-8
	Serie HT8KF6H
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 214mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC
	Disipación de potencia máxima Pd 14W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 3.45mm
	Anchura 3.4 mm
	Altura 0.8mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - HT8KF6HTB1

El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones. Este componente proporciona características eléctricas robustas, incluida una corriente de drenaje continua máxima de ±7,0 A, lo que garantiza un funcionamiento fiable con cargas elevadas. Sus materiales sin plomo y sin halógenos cumplen las normas RoHS, lo que contribuye a diseños respetuosos con el medio ambiente. La resistencia térmica de este MOSFET está optimizada, lo que permite una disipación térmica eficaz, lo que mejora la durabilidad y el rendimiento del dispositivo en diversas aplicaciones electrónicas.

Baja resistencia de encendido para mejorar la eficiencia

Alta capacidad de potencia en un compacto encapsulado moldeado HSMT8

Cumple la normativa RoHS con chapado sin plomo

Diseño sin halógenos para apoyar iniciativas respetuosas con el medio ambiente

Aplicación versátil en accionamientos de motor y sistemas de gestión de potencia

Alta temperatura nominal máxima de unión de 150 °C

Impresionante disipación de potencia máxima de 14 W

Características de avalancha fiables con una energía máxima de 0,24 mJ

MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HT8KF6HTB1, VDSS 150 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines

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