MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HT8KF6HTB1, VDSS 150 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- Código RS:
- 687-371
- Nº ref. fabric.:
- HT8KF6HTB1
- Fabricante:
- ROHM
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- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KF6H | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 214mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 14W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.45mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado HSMT-8 | ||
Serie HT8KF6H | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 214mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 14W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.4mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.45mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones. Este componente proporciona características eléctricas robustas, incluida una corriente de drenaje continua máxima de ±7,0 A, lo que garantiza un funcionamiento fiable con cargas elevadas. Sus materiales sin plomo y sin halógenos cumplen las normas RoHS, lo que contribuye a diseños respetuosos con el medio ambiente. La resistencia térmica de este MOSFET está optimizada, lo que permite una disipación térmica eficaz, lo que mejora la durabilidad y el rendimiento del dispositivo en diversas aplicaciones electrónicas.
Baja resistencia de encendido para mejorar la eficiencia
Alta capacidad de potencia en un compacto encapsulado moldeado HSMT8
Cumple la normativa RoHS con chapado sin plomo
Diseño sin halógenos para apoyar iniciativas respetuosas con el medio ambiente
Aplicación versátil en accionamientos de motor y sistemas de gestión de potencia
Alta temperatura nominal máxima de unión de 150 °C
Impresionante disipación de potencia máxima de 14 W
Características de avalancha fiables con una energía máxima de 0,24 mJ
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