MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HT8MD5HTB1, VDSS 80 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- Código RS:
- 687-385
- Nº ref. fabric.:
- HT8MD5HTB1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-385
- Nº ref. fabric.:
- HT8MD5HTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | HT8MD5HT | |
| Encapsulado | HSMT-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 165mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13.0W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.45mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie HT8MD5HT | ||
Encapsulado HSMT-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 165mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13.0W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.45mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para aplicaciones electrónicas versátiles. Con su configuración de doble canal N y P, este componente ofrece un rendimiento excepcional, lo que permite una gestión eficaz de la energía en accionamientos de motores y otros circuitos exigentes. Características como la baja resistencia de conexión garantizan una pérdida de potencia mínima durante el funcionamiento, mientras que el encapsulado HSMT8 permite un tamaño compacto sin comprometer el rendimiento. El HT8MD5H admite una amplia gama de tensiones y cumple las normas RoHS y sin halógenos, lo que lo convierte en una opción ideal para diseños respetuosos con el medio ambiente. Fabricado pensando en la fiabilidad, este MOSFET es adecuado para diversas aplicaciones que requieren un rendimiento robusto en condiciones variables.
Los diseños de baja resistencia de encendido mejoran la eficiencia en aplicaciones de potencia
La alta potencia en un encapsulado compacto HSMT8 agiliza la integración
La construcción, que cumple la directiva RoHS y no contiene halógenos, favorece los diseños respetuosos con el medio ambiente
Probado al 100 % Rg y UIS para su fiabilidad en condiciones operativas exigentes
Optimizado para aplicaciones de accionamiento por motor, lo que garantiza un control eficaz de la potencia
La amplia gama de tensiones garantiza la versatilidad en diversos entornos electrónicos
Diseñado para soportar temperaturas máximas de unión de hasta 150 °C
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