MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RQ3P120BKFRATCB, VDSS 100 V, Mejora, HSMT-8AG de 8 pines
- Código RS:
- 687-380
- Nº ref. fabric.:
- RQ3P120BKFRATCB
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-380
- Nº ref. fabric.:
- RQ3P120BKFRATCB
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HSMT-8AG | |
| Serie | RQ3P120BKFRA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 58mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 300mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HSMT-8AG | ||
Serie RQ3P120BKFRA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 58mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 300mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- JP
El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para una gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones. Capaz de soportar tensiones de drenaje-fuente de hasta 100 V y corrientes nominales continuas de ±12 A, este MOSFET destaca tanto en densidad de potencia como en resistencia térmica. El encapsulado compacto HSMT8AG reduce significativamente los requisitos de espacio de la placa de circuito impreso en un 64 %, lo que lo convierte en una opción ideal para los diseños electrónicos modernos que exigen fiabilidad y eficacia. Con la certificación AEC-Q101, garantiza un funcionamiento robusto en aplicaciones de automoción y sirve para una amplia gama de casos de uso, desde ADAS hasta soluciones de iluminación.
El encapsulado pequeño de alta potencia optimiza el espacio en las placas de circuito impreso en un 64 %
Alta fiabilidad de montaje gracias a tratamientos innovadores de chapado y terminales
La certificación AEC Q101 garantiza la fiabilidad en aplicaciones de automoción
Diseñado para manejar una disipación de potencia máxima de 40 W para una gestión térmica eficaz
La baja resistencia en estado activo de 58 mΩ mejora la eficiencia y el rendimiento
La robusta tolerancia de tensión de puerta-fuente de ±20 V amplía las posibilidades de integración
La potencia nominal de avalancha de 8 A y la disipación de energía de 5,2 mJ proporcionan protección adicional durante el funcionamiento
Funcionamiento muy fiable en un rango de temperaturas de -55 a +150 °C
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