MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RQ3L060BGTB1, VDSS 60 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines

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Código RS:
264-578
Nº ref. fabric.:
RQ3L060BGTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

HSMT-8

Serie

RQ3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

38mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

14W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM de canal N de 60 V y 15,5 A en encapsulado HSMT8 presenta una baja resistencia a la conexión y un diseño de alta potencia, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación, accionamientos de motores y convertidores de CC o CC.

Baja resistencia

Paquete de molde pequeño de alta potencia HSMT8

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

100% Rg y UIS probado

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