MOSFET, N-Canal ROHM RQ3L070BGTB1, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, HSMT-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-477
Nº ref. fabric.:
RQ3L070BGTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

HSMT-8

Serie

RQ3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

15W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM 60V 20A ofrece una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace ideal para la conmutación del lado primario, accionamientos de motores y convertidores CC-CC.

Baja resistencia

Envase pequeño de montaje en superficie

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

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