MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HT8KC5TB1, VDSS 60 V, ID 10 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 264-764
- Nº ref. fabric.:
- HT8KC5TB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 10 unidades)*
5,31 €
(exc. IVA)
6,43 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,531 € | 5,31 € |
| 100 - 240 | 0,505 € | 5,05 € |
| 250 - 490 | 0,467 € | 4,67 € |
| 500 - 990 | 0,43 € | 4,30 € |
| 1000 + | 0,414 € | 4,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-764
- Nº ref. fabric.:
- HT8KC5TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HP8 | |
| Encapsulado | HSMT-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HP8 | ||
Encapsulado HSMT-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch es un MOSFET de baja resistencia de encendido ideal para aplicaciones de conmutación.
Encapsulado de molde pequeño de alta potencia (HSMT8)
Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET ROHM VDSS 60 V HSMT-8 1
- MOSFET ROHM VDSS 60 V HSMT-8 2
- MOSFET ROHM RQ3L050GNTB ID 12 A , config. Simple
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, HSMT-8AG de 8 pines