MOSFET, N-Canal ROHM RQ3P300BHTB1, VDSS 100 V, ID 39 A, Mejora, HSMT de 8 pines
- Código RS:
- 235-2775
- Nº ref. fabric.:
- RQ3P300BHTB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
5,31 €
(exc. IVA)
6,43 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 09 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,062 € | 5,31 € |
| 50 - 95 | 0,908 € | 4,54 € |
| 100 - 245 | 0,794 € | 3,97 € |
| 250 - 995 | 0,77 € | 3,85 € |
| 1000 + | 0,698 € | 3,49 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-2775
- Nº ref. fabric.:
- RQ3P300BHTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 850μm | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 850μm | ||
Longitud 3.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N ROHM con baja resistencia de encendido tiene una tensión de drenador a fuente de 100 V. Es ideal para conmutación.
Encapsulado pequeño para montaje superficial
Chapado de cable sin plomo
En conformidad con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HSMT de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HSMT-8
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, HSMT de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, HSMT de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines