MOSFET, N-Canal ROHM RQ3P300BHTB1, VDSS 100 V, ID 39 A, Mejora, HSMT de 8 pines

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Código RS:
235-2774
Nº ref. fabric.:
RQ3P300BHTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

100 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

39 A

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

HSMT

Número de pines

8

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

3.4 mm

Longitud

3.15 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

15.5 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

2 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

36 nC

Anchura

850 μm

The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

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