MOSFET, N-Canal ROHM RH6P040BHTB1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, HSMT-8
- Código RS:
- 252-3155
- Nº ref. fabric.:
- RH6P040BHTB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
14,58 €
(exc. IVA)
17,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de noviembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,458 € | 14,58 € |
| 50 - 90 | 1,429 € | 14,29 € |
| 100 - 240 | 1,166 € | 11,66 € |
| 250 - 990 | 1,145 € | 11,45 € |
| 1000 + | 1,121 € | 11,21 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 252-3155
- Nº ref. fabric.:
- RH6P040BHTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HSMT-8 | |
| Serie | RH6P040BH | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb Free | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HSMT-8 | ||
Serie RH6P040BH | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb Free | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
The Rohms offers a RH series of a power mosfet with low on resistance and suitable for switching. It is halogen free with 100% Rg and UIS tested with the input volage of 100 V.
Operating junction and storage temperature range is -55℃ to +150℃
Mounted on a cu board
Drain current is 40 A
Power dissipation is 59 W
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HSMT-8
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSMT-8
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, HSMT de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HSMT de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, HSMT de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSMT-8 de 8 pines