MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HT8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 15 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 2

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-489
Nº ref. fabric.:
HT8KC6TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

HSMT-8

Serie

HT8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

14W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM dual Nch plus Nch 60V 15A presenta una baja resistencia de encendido, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Paquete de molde pequeño de alta potencia HSMT8

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

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