MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HP8KF7HTB1, VDSS 150 V, Mejora, HSOP-8 de 8 pines

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Código RS:
687-364
Nº ref. fabric.:
HP8KF7HTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Doble N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HP8KF7H

Encapsulado

HSOP-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

62mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.1mm

Altura

1.1mm

Anchura

6.1 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para gestionar eficazmente la potencia en diversas aplicaciones electrónicas. Con una baja resistencia de conexión de 62 mΩ y un encapsulado HSOP8 compacto, este MOSFET garantiza una gestión térmica superior y alta fiabilidad. Sus especificaciones admiten una corriente de drenaje continua de ±18,5 A, lo que lo hace ideal para tareas exigentes como accionamientos de motor. Con una excelente eficiencia energética y el cumplimiento de las normas RoHS y sin halógenos, se integra perfectamente en diseños electrónicos avanzados, al tiempo que garantiza la responsabilidad medioambiental.

Optimizado para una baja resistencia de conexión, lo que mejora la eficiencia general

El encapsulado compacto HSOP8 permite diseños que ahorran espacio

Ideal para una gran variedad de aplicaciones, incluidos accionamientos de motor

Cumple los requisitos RoHS y sin halógenos para la seguridad medioambiental

Los altos valores de corriente de drenaje continuo y pulsado garantizan la fiabilidad bajo carga

Excelente gestión térmica con bajos índices de resistencia térmica

Diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento con un retardo mínimo

Funcionamiento estable en un amplio rango de temperaturas de -55 a +150 °C

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